SSD-ניקוד של סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] הוא מימוש של טכנולוגיות חדישות בתחום אחסון הנתונים, המציע מהירות קריאה וכתיבה גבוהה בזכות פתרונות מתקדמים של סמסונג. ניקוד זה מתבלט לא רק בביצועים שלו, אלא גם באמינות מוגברת, מה שהופך אותו לבחירה אידיאלית למשתמשים תובעניים, כמו גיימרים ומקצוענים בתחום המדיה ועיצוב.
הבסיס של SSD-ניקוד סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] הוא זיכרון 3D NAND חדשני, המאפשר להגדיל את צפיפות האחסון תוך הפחתת צריכת האנרגיה בהשוואה לדורות קודמים. השילוב של תא MLC (TLC) ושל בקר מודרני סמסונג MKX תורם להשגת ביצועים מקסימליים עם השהיות מינימליות. הניקוד מציע מהירות קריאה רציפה של עד 560 MB/s ומהירות כתיבה של עד 530 MB/s, מה שמאיץ בצורה משמעותית את הטעינה של מערכות הפעלה ואפליקציות, כמו גם את עיבוד הקבצים הגדולים והמשחקים.
SSD-ניקוד סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] מצויד בממשק SATA III, המבטיח תאימות עם רוב לוחות האם המודרניים ומאפשר לשלב את הניקוד במערכת קיימת ללא צורך במתאמים נוספים או שינויים. יתרון נוסף של הדגם הוא תמיכה בהצפנת נתונים AES 256-bit, המבטיחה רמת אבטחה גבוהה לנתוני המשתמשים.
האמינות של הניקוד נמצאת גם היא ברמה גבוהה — סמסונג מספקת אחריות ל-5 שנים או עד 150 TB של נתונים כתובים, מה שמדגיש את העמידות והיציבות של המכשיר גם בשימוש אינטנסיבי. טכנולוגיית Dynamic Thermal Guard פועלת לניהול טמפרטורת הניקוד, מונעת חימום יתר ושומרת על ביצועים גבוהים לאורך זמן השימוש.
עבור מי שמחפש פתרון מהיר, אמין ובטוח לאחסון נתונים, SSD-ניקוד סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] מהווה אחת מהבחירות הטובות ביותר בשוק. הוא מתאים במיוחד לבניית מערכות גיימינג חזקות, להאצת עבודה בתחנות עבודה ולהבטחת גישה מהירה לנתונים באפליקציות קריטיות.
| Storage capacity | 4000 GB |
| DRAM buffer volume | 4096 MB |
| Connection connector | SATA |
| Type | 2.5" SATA drive |
| Model | Samsung 870 EVO |
| Manufacturer code | [MZ-77E4T0B/EU] |
| NVMe | No |
| Number of bits per cell | 3 bit MLC (TLC) |
| Memory structure | 3D NAND |
| DRAM buffer | Yes |
| Maximum write resource (TBW) | 2400 TB |
| DWPD | 33 % |
| Energy consumption | 5 W |
| Hardware data encryption | Yes |
| Length | 100 mm |
| Width | 69.85 mm |
| Thickness | 6.8 mm |
| Weight | 48 g |
| Equipment | documentation |
| Maximum sequential read speed | 560 MB/s |
| Maximum sequential write speed | 530 MB/s |
| The speed of arbitrary reading of 4 KB files (QD32) | 98000 IOPS |
| Random write speed of 4 KB files (QD32) | 88000 IOPS |
SSD-ניקוד של סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] הוא מימוש של טכנולוגיות חדישות בתחום אחסון הנתונים, המציע מהירות קריאה וכתיבה גבוהה בזכות פתרונות מתקדמים של סמסונג. ניקוד זה מתבלט לא רק בביצועים שלו, אלא גם באמינות מוגברת, מה שהופך אותו לבחירה אידיאלית למשתמשים תובעניים, כמו גיימרים ומקצוענים בתחום המדיה ועיצוב.
הבסיס של SSD-ניקוד סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] הוא זיכרון 3D NAND חדשני, המאפשר להגדיל את צפיפות האחסון תוך הפחתת צריכת האנרגיה בהשוואה לדורות קודמים. השילוב של תא MLC (TLC) ושל בקר מודרני סמסונג MKX תורם להשגת ביצועים מקסימליים עם השהיות מינימליות. הניקוד מציע מהירות קריאה רציפה של עד 560 MB/s ומהירות כתיבה של עד 530 MB/s, מה שמאיץ בצורה משמעותית את הטעינה של מערכות הפעלה ואפליקציות, כמו גם את עיבוד הקבצים הגדולים והמשחקים.
SSD-ניקוד סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] מצויד בממשק SATA III, המבטיח תאימות עם רוב לוחות האם המודרניים ומאפשר לשלב את הניקוד במערכת קיימת ללא צורך במתאמים נוספים או שינויים. יתרון נוסף של הדגם הוא תמיכה בהצפנת נתונים AES 256-bit, המבטיחה רמת אבטחה גבוהה לנתוני המשתמשים.
האמינות של הניקוד נמצאת גם היא ברמה גבוהה — סמסונג מספקת אחריות ל-5 שנים או עד 150 TB של נתונים כתובים, מה שמדגיש את העמידות והיציבות של המכשיר גם בשימוש אינטנסיבי. טכנולוגיית Dynamic Thermal Guard פועלת לניהול טמפרטורת הניקוד, מונעת חימום יתר ושומרת על ביצועים גבוהים לאורך זמן השימוש.
עבור מי שמחפש פתרון מהיר, אמין ובטוח לאחסון נתונים, SSD-ניקוד סמסונג 870 EVO [MZ-77E4T0B/EU] מהווה אחת מהבחירות הטובות ביותר בשוק. הוא מתאים במיוחד לבניית מערכות גיימינג חזקות, להאצת עבודה בתחנות עבודה ולהבטחת גישה מהירה לנתונים באפליקציות קריטיות.
| Storage capacity | 4000 GB |
| DRAM buffer volume | 4096 MB |
| Connection connector | SATA |
| Type | 2.5" SATA drive |
| Model | Samsung 870 EVO |
| Manufacturer code | [MZ-77E4T0B/EU] |
| NVMe | No |
| Number of bits per cell | 3 bit MLC (TLC) |
| Memory structure | 3D NAND |
| DRAM buffer | Yes |
| Maximum write resource (TBW) | 2400 TB |
| DWPD | 33 % |
| Energy consumption | 5 W |
| Hardware data encryption | Yes |
| Length | 100 mm |
| Width | 69.85 mm |
| Thickness | 6.8 mm |
| Weight | 48 g |
| Equipment | documentation |
| Maximum sequential read speed | 560 MB/s |
| Maximum sequential write speed | 530 MB/s |
| The speed of arbitrary reading of 4 KB files (QD32) | 98000 IOPS |
| Random write speed of 4 KB files (QD32) | 88000 IOPS |
